Micron przedstawił udoskonalone pamięci typu UFS 4.0. Trafią wkrótce na pokłady najlepszych smartfonów

Amerykańska firma Micron Technology przedstawiła właśnie nowe, udoskonalone układy pamięci masowej UFS 4.0. Mają one trafić do nowoczesnych smartfonów, gwarantując im szybsze uruchamianie aplikacji i jeszcze szybsze przetwarzanie wideo.
Micron przedstawił udoskonalone pamięci typu UFS 4.0. Trafią wkrótce na pokłady najlepszych smartfonów

Micron przedstawia nowe chipy UFS 4.0 dla smartfonów

Układy pamięci Universal Flash Storage (UFS) 4.0, zbudowane zostały na zaawansowanej 232-warstwowej pamięci 3D NAND. Micron oferuje je w wersjach o maksymalnej pojemności do 1 terabajta (TB) i pierwsze próbki już zostały rozesłane do wybranych światowych producentów smartfonów i dostawców chipsetów. 

Pamięć masowa Micron UFS 4.0 zapewnia najwyższą w branży wydajność dla flagowych smartfonów z szybkim uruchamianiem, szybkim pobieraniem wideo, natychmiastowym dostępem do galerii zdjęć użytkowników i szybkim uruchamianiem aplikacji. Pamięć flash Micron UFS 4.0 jest zbudowana na zamówienie w oparciu o zaawansowaną 232-warstwową technologię 3D NAND, kontroler o niskim poborze mocy, dostępna w pojemnościach do 1 TB. Nasza najlepsza w swojej klasie pamięć masowa UFS 4.0 zapewnia wyjątkowe wrażenia użytkownika końcowego w flagowych smartfonach.

W porównaniu z poprzednią generacją UFS 3.0, pamięci UFS 4.0 przedstawione przez Microna cechują się większą pojemnością i lepszą wydajnością energetyczną – mowa nawet o 25% mniejszym poborze energii. Wykorzystując komórki potrójnego poziomu (TLC) ma oferować zapis sekwencyjny na poziomie do 4000 MB/s i odczyt sekwencyjny do 4300 MB/s. Producent chwali się też nową, sześciopłaszczyznową architekturą NAND (macierze komórek pamięci ułożone w większej liczbie warstw), która zwiększa przepustowość losowego odczytu. Właśnie dzięki temu udało się zwiększyć ogólną responsywność i skrócić czas ładowania. Ta architektura będzie dostępna na urządzeniach z układami UFS 4.0 o pojemności 512 GB i 1 TB, ponieważ konfiguracja 256 GB wykorzystuje czteropłaszczyznową pamięć NAND.

Warto też wspomnieć o 25-procentowym wzroście wydajności energetycznej, co pozwoli smartfonom dłużej pracować na jednym ładowaniu. Jednocześnie pamięci UFS 4.0 zapewniają wzrost wydajności. Wedle słów producenta, aplikacje mają uruchamiać się o 15% szybciej w porównaniu z poprzednią generacją pamięci masowej. Ponadto pamięć firmy Micron zapewnia o 10% lepsze opóźnienie zapisu w porównaniu z rozwiązaniami oferowanymi przez innych producentów.

Produkcja masowa ma ruszyć w drugiej połowie roku, a producenci smartfonów dostaną do dyspozycji trzy warianty UFS 4.0 – 256 GB, 512 GB i 1 TB. Jednak nie tylko producenci telefonów skorzystają z tego rozwiązania. Nowe pamięci Microna znajdą się na pokładzie samochodów, systemów komputerowych oraz innych urządzeń wymagających pamięci o niskim poborze mocy przy wysokiej wydajności i stałej niezawodności.